info@libristo.bg
Ще ви отговорим до 24 часа
Безплатна доставка със Speedy над 129 лв
Box Now 9 лв
Speedy office 11 лв
Speedy 13 лв
ЕКОНТ 6 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6 лв
Контакт
Как се пазарува?
Помощ
Доставка
Box Now 9 лв
Speedy office 11 лв
Speedy 13 лв
ЕКОНТ 6 лв
Еконтомат/Офис на Еконт 6 лв
Безплатна доставка със Speedy над 129 лв
Наръчник за пазаруване
Тук сме за Вас!
info@libristo.bg
Моят акаунт
Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства.
Създай на безплатен акаунт
▸
Празна :-(
0
Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design
Език
Английски език
Английски език
Книга
С твърди корици
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and veri...
Цялото описание
Код Либристо: 22569070
?
279 b
279 b
221
лв
Външен склад
Изпращаме след 14-18 дни
30 дни за връщане на стоката
Може би ще Ви заинтересува
/
С твърди корици
132
лв
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c
Информация за книгата
Пълно заглавие
Physical MOSFET Model Applicable to Extremely Scaled CMOS IC Design
Автор
DOUGLAS WEISER
Език
Английски език
Английски език
Корици
Книга - С твърди корици
Дата на издаване
2019
Брой страници
210
Баркод
9780530007977
ISBN
0530007975
Код Либристо
22569070
Издателство
Dissertation Discovery Company
Тегло
776
Размери
216 x 279 x 13
