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Comportement Des Diodes Lors D v nements Transitoires Rapides
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Les travaux développés dans cette thčse concernent l'étude, la caractérisation et la modélisation du comportement des diodes lors d'évčnements transitoires rapides de type ESD. Dans un premier temps, un nouveau banc de mesure capable de fournir rapidement des résultats sur le comportement des structures de protections ESD lors d'un événement transitoire trčs rapide a été développé : le VF-TCS - Very Fast Transient Characterization System. Ce systčme permet d'étudier le comportement transitoire, dans des gammes de temps propres au CDM, des structures de protection que sont la diode, le GGNMOS, la protection centrale et le thyristor. Dans un deuxičme temps, un nouveau modčle compact de diode capable de retranscrire avec précision son comportement lors d'un événement transitoire trčs rapide a été développé. Les concepteurs ont désormais des résultats de simulations fiables mettant en exergue les faiblesses potentielles de leurs stratégies de protection, notamment en ce qui concerne les surtensions éventuelles pouvant constituer un danger pour le circuit ŕ protéger.
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