Над 4 милиона заглавия на английски и други езици! Открийте новата си история още днес! Безплатна доставка за поръчки над 69.99€

Проверка на състоянието на поръчката

Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства. Създай на безплатен акаунт

Безплатна доставка със Еконт над 69.99 €

Куриер Speedy 3.49 € Пункт на Speedy 3.49 € ЕКОНТ 3.99 € Еконтомат/Офис на Еконт 3.99 € Ekont Box 3.99 € Sameday 3.99 € Sameday box 3.99 € Box Now 3.99 €

Контакт

Как се пазарува?

Помощ

Моят акаунт

▸ Празна :-(

Device Performance and Reliability in SOI MOSFET

Name: Device Performance and Reliability in SOI MOSFET
Brand: LAP Lambert Academic Publishing
SKU: 06921086
Price: 62.9 EUR
Availability: InStock
Author: Franklin Duan
ISBN: 9783659186172

Studies on Channel Coupling and Floating Body Effects in SOI

Franklin Duan

Език

Английски език

Книга С меки корици

Код Либристо: 06921086

Издателство LAP Lambert Academic Publishing, ноември 2011

SOI MOSFET is one of the promising options for the future VLSI market due to its low power/high spee... Цялото описание

Код Либристо: 06921086

153 b

62.90 €

123.02 лв

Налично при издателя, по поръчка Изпращаме след 17-27 дни

До 30 дни за връщане на стоки

Клиентите са закупили също

Entwicklung von Kohlenstoffschaum und Kieselschaum mittels Replica-Methode Parth M. Kapatel

С меки корици

25.54 € 49.95 лв

Vita Corbiniani - Das Leben des heiligen Korbinian Arbeo von Freising

С твърди корици

46.75 € 91.43 лв

Der Druide von Mistle End - Teil 2: Der Zorn der Götter Jona Mues

Digital

17.90 € 35.01 лв

Puzzle 500 VW Brouk malovaný

Пъзел

8.51 € 16.64 лв

Nötig zu wissen Helmut Schwier

С меки корици

29.77 € 58.23 лв

Les dépenses publiques en France Facchini

С меки корици

32.20 € 62.97 лв

Silberputzen Pavel Vilikovský

Аудио компактдиск

10.37 € 20.28 лв

The Bike Book

С твърди корици

62.28 € 121.81 лв

Riechnik Na Bulgarskyi Iazyk. Dop'lnenie T. Panchev

С меки корици

23.99 € 46.92 лв

Helenčino pečení Vánoční cukroví Helena Vybíralová

С меки корици

5.21 € 10.18 лв

Atencion odontologica en una unidad de atencion primaria Maria de la Paz Otero Casal

С меки корици

61.09 € 119.49 лв

Angustia de nossos tempos Felipe Moretti

С меки корици

21.98 € 42.99 лв

SOI MOSFET is one of the promising options for the future VLSI market due to its low power/high speed character and simplified technology with increased packing density. Yet some problems in device physics must be fully understood before SOI is implemented in industry. In this thesis, optimized technology directions to balance the tradeoff between Performance & Reliability in SOI MOSFET are suggested. 1. Extensive study on the opposite-channel-based injection (OCBI) by manipulating these two gates is carried out by copious PISCES simulations. 2. the channel coupling effect was extensively carried out; both on electric field and impact ionization by numerical simulation. 3. the width effect of floating body effect was analyzed by a two-dimensional simulation which mimics its three dimensional features. 4. a new FD SOI MOSFET structure is proposed, which holds the drawbacks of low channel mobility in the inversion mode and poor latch-up voltage in the accumulation mode. 5. the compatibility of LDD technology to SOI was studied.