Не ви допада? Няма проблеми! При нас имате възможност за връщане в рамките на 30 дни
Няма да сбъркате с подаръчен ваучер. Получателят може да избере нещо от нашия асортимент с подаръчен ваучер.
30 дни за връщане на стоката
Materials scientists, silicon technologists and TCAD researchers come together in this book to share experimental results and physical models, discuss achievements and challenges, and identify key issues for future research in this field. The volume focuses on many aspects related to doping of semiconductors (Si, SiGe and Ge) for device fabrication, and explores areas for single-gate as well as multi-gate devices with planar and vertical architectures. Surface properties, coverage, bonding saturation and passivation, and annealing ambient are also discussed.
Здравейте! Аз съм Libroamiko, вашият книжен съветник.
Как мога да ви помогна?