Контакт
Как се пазарува?
Доставка
Наръчник за пазаруване
Английски език
263 b
30 дни за връщане на стоката
Клиентите са закупили също
This monograph is intended for scientists and TCAD engineers who are interested in physics-based simulation of Si and SiGe devices. The common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic, and Monte-Carlo models and their synergy are discussed and it is shown how these models form a consistent hierarchy of simulation tools. The basis of this hierarchy is the full-band Monte-Carlo device model which is discussed in detail, including its numerical and stochastic properties. The drift-diffusion and hydrodynamic models for large-signal, small-signal, and noise analysis are derived from the Boltzmann transport equation in such a way that all transport and noise parameters can be obtained by Monte-Carlo simulations. With this hierarchy of simulation tools the device characteristics of strained Si MOSFETs and SiGe HBTs are analysed and the accuracy of the momentum-based models is assessed by comparison with the Monte-Carlo device simulator.
Информация за книгата
Английски език
Категории
Подарете тази книга днес
Лесно е
1 Добавете книгата в количката си и изберете Доставка като подарък 2 В замяна ще ви изпратим ваучер 3 Книгата ще пристигне на адреса на получателяМоже би ще Ви заинтересува
/
С меки корици
109.98
€
215.10 лв
/
С меки корици
11.95
€
23.36 лв
/
С меки корици
9.10
€
17.80 лв
/
С меки корици
27.62
€
54.02 лв
/
С меки корици
18.41
€
36.01 лв
