Над 10 милиона заглавия на английски и други езици! Открийте новата си история още днес! Безплатна доставка за поръчки над 69.99€

Проверка на състоянието на поръчката

Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства. Създай на безплатен акаунт

Безплатна доставка със Еконт над 69.99 €

Куриер Speedy 3.49 € Пункт на Speedy 3.49 € ЕКОНТ 3.99 € Еконтомат/Офис на Еконт 3.99 € Ekont Box 3.99 € Sameday 3.99 € Sameday box 3.99 € Box Now 3.99 €

Контакт

Как се пазарува?

Помощ

Моят акаунт

▸ Празна :-(

Procesos de implantacion ionica para materiales de banda intermedia

Name: Procesos de implantacion ionica para materiales de banda intermedia
Brand: Editorial Academica Espanola
SKU: 07035868
Price: 73.97 EUR
Availability: InStock
Author: Javier Olea Ariza
ISBN: 9783844348217

Javier Olea Ariza

Език

Испански език

Книга С меки корици

Код Либристо: 07035868

Издателство Editorial Academica Espanola, юли 2011

Los materiales de banda intermedia tienen el potencial de incrementar la eficiencia de los dispositi... Цялото описание

Код Либристо: 07035868

180 b

73.97 €

144.67 лв

Външен склад Изпращаме след 5-8 дни

До 30 дни за връщане на стоки

Клиентите са закупили също

History of Creation Ernst Haeckel

С меки корици

76.74 € 150.10 лв

Recettes au robot cuiseur - 100 recettes à dévorer Dorian Nieto

С меки корици

6.98 € 13.65 лв

les Anges Déchus LEE

С меки корици

21.37 € 41.79 лв

Princess Knight G. A. Aiken

С меки корици

12.74 € 24.91 лв

Through A Window Jane Goodall

С меки корици

14.74 € 28.83 лв

Approaches to Welfare Philip Bean

С меки корици

36.62 € 71.63 лв

History Smashers: Pearl Harbor MESSNER KATE

С меки корици

8.57 € 16.77 лв

Investmentsteuergesetz Jürgen Baur

С твърди корици

197.06 € 385.41 лв

Power of Your Subconscious Mind Joseph Murphy

С меки корици

9.40 € 18.38 лв

Sustainability in an Imaginary World David Maggs

С твърди корици

249.97 € 488.90 лв

Etudes John Marx

С твърди корици

48.54 € 94.94 лв

Cloud Broker and Cloudlet for Workflow Scheduling Chan-Hyun Youn

С меки корици

54.04 € 105.69 лв

Devenir écrivain: Comment écrire, publier un livre et vivre de sa plume en 15 étapes Malik Kahli

С меки корици

16.44 € 32.15 лв

Traqués Brian Haig

С меки корици

12.38 € 24.20 лв

Chimie - 200 méthodes et 150 exercices Lobadowsky

С меки корици

32.62 € 63.79 лв

La catedral de Tortosa als segles del gòtic Vol. II Almuni Balada

С твърди корици

35.85 € 70.12 лв

Лечебные комнатные растения. ТОП 20 лекарей с вашего подоконника Ирина Пигулевская

С меки корици

12.02 € 23.50 лв

Vulcan B Mk2: 1955-2015 David Fildes

С меки корици

23.89 € 46.73 лв

UM LUGAR PARA SE ENCONTRAR Renan Italo Rodrigues Dias

Adobe ePub DRM

2.31 € 4.51 лв

Forty Days Without Food!: A Biography of Henry S. Tanner, M.D., Including a Complete and Accurate History of His Wonderful Fasts, Viz.: 42 Days Robert Alexander Gunn

С твърди корици

30.51 € 59.67 лв

Princesses

Книга

22.39 € 43.80 лв

I Love the Farm Kidsbooks Publishing

С меки корици

11.15 € 21.80 лв

Landhausglück mit @Pomponetti Christel Harnisch

С твърди корици

22.24 € 43.49 лв

Rebellion Presents The Jose Munoz Collection Chris Lowder

С меки корици

19.16 € 37.47 лв

Los materiales de banda intermedia tienen el potencial de incrementar la eficiencia de los dispositivos fotovoltaicos en la 3Ş Generación de Células Solares mediante la absorción de fotones de energía menor a la del bandgap. Una de las opciones para fabricar este tipo de semiconductores es la introducción de impurezas con niveles profundos en concentraciones por encima del límite de Mott. Para ello, la técnica de implantación iónica es una herramienta fundamental, ya que permite introducir prácticamente cualquier elemento en la concentración requerida. La técnica de recocido con laser pulsado permite reparar la red tras la implantación y obtener un material con una concentración de impurezas por encima del límite de solubilidad sólida. En la primera parte de este trabajo se analizan las propiedades del Si implantado con Ti en altas dosis, se modelan las propiedades de transporte eléctrico y se concluye que el material resultante tiene unas características adecuadas para fabricar células solares de banda intermedia. En la segunda parte se estudian las propiedades del GaP implantado con Ti en altas dosis, y se analizan las propiedades ópticas y eléctricas del GaNxAs1-x.