Contact
How to shop
Delivery
Shopping guide
Conception d'une SRAM ? faible fuite
French
86 b
Up to 30 days for returns
Customers also purchased
/
Paperback
56.95
€
111.39 лв
La plupart des recherches sur la consommation d'énergie des circuits se sont concentrées sur la puissance de commutation et la puissance dissipée par le courant de fuite a été un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d'énergie, en particulier dans les mémoires haut de gamme. Pour réduire la puissance de fuite dans la SRAM, la méthode de gestion de la puissance peut être appliquée et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contrôler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adoptées ; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inférieures et les tensions de seuil supérieures contrôlent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut être choisie en fonction du courant le plus défavorable et est appliquée à chaque bloc.
About the book
French
Give this book today
It's easy
1 Add to cart and choose Deliver as present at the checkout 2 We'll send you a voucher 3 The book will arrive at the recipient's addressYou might also be interested in
Hi! I'm Libroamiko, your book advisor.
How can I help you?