Над 4 милиона заглавия на английски и други езици! Открийте новата си история още днес! Безплатна доставка за поръчки над 69.99€

Проверка на състоянието на поръчката

Станете част от общност от любители на книгите от цял свят и получавате много предимства. Създай на безплатен акаунт

Безплатна доставка със Еконт над 69.99 €

Куриер Speedy 3.49 € Пункт на Speedy 3.49 € ЕКОНТ 3.99 € Еконтомат/Офис на Еконт 3.99 € Ekont Box 3.99 € Sameday 3.99 € Sameday box 3.99 € Box Now 3.99 €

Контакт

Как се пазарува?

Помощ

Моят акаунт

▸ Празна :-(

Книги на английски > Technology, Engineering, Agriculture > Mechanical engineering & materials > Production engineering > Industrial quality control > CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155

CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155

Name: CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Brand: Materials Research Society
SKU: 02060485
Price: 125.39 EUR
Availability: InStock
Author: Alexander A. DemkovBill TaylorH. Rusty HarrisJeffery W. Butterbaugh
ISBN: 9781605111285

Alexander A. DemkovBill TaylorH. Rusty HarrisJeffery W. Butterbaugh

Език

Английски език

Книга С твърди корици

Код Либристо: 02060485

Издателство Materials Research Society, ноември 2009

To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into convent... Цялото описание

Код Либристо: 02060485

304 b

125.39 €

245.25 лв

Външен склад Изпращаме след 14-21 дни

До 30 дни за връщане на стоки

Клиентите са закупили също

Dokumentenanalyse in der Bildungs- und Sozialforschung Nicole Hoffmann

С меки корици

21.08 € 41.24 лв

Puzzle 500 Torres Del Paine Patagonia Chile B-53698

binding.

7.44 € 14.55 лв

Devenir autre David Berliner

С меки корици

25.53 € 49.93 лв

Presencia poética Duart Torres

С меки корици

16.38 € 32.04 лв

societas europaea. la société européenne Colombani j.-l. Книга

С меки корици

36.23 € 70.86 лв

Nah bei dir - Kimi ni todoke 07. Bd.7 Karuho Shiina

С меки корици

8.16 € 15.96 лв

Das Leben Des Malers Johann Conrad Seekatz, 1719-1768 (1916) Ludwig Bamberger

С меки корици

20.26 € 39.62 лв

Voajer Inna Moore

С меки корици

10.33 € 20.21 лв

Imitacionnaya model' dvizheniya avtotransporta na peresechenii dorog Alexandr Semerikov

С меки корици

35.87 € 70.15 лв

Die Krebsbehandlung in Der Thoraxklinik Heidelberg P. Drings

С меки корици

54.79 € 107.15 лв

Klett Textaufgaben/Sachaufgaben 3. Klasse

Лист

7.75 € 15.15 лв

To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.